«Исследование фотоиндуцированного магнетизма на примере ферромагнитного монокристалла с квантовыми точками.»

3) специфичность, а зачастую уникальность их магнитных и некоторых других физических свойств.

Благодаря этим особенностям магнитные окислы, с одной стороны, представляют большую ценность для фундаментальных научных исследований, с другой стороны,— находят широчайшее практическое применение в самых различных областях.

Рассмотрим кратко важнейшие свойства ферритов, определяющие их уникальную роль в науке и технике. Подавляющее большинство магнитных окислов относится к ферримагнетикам, т. е. к веществам со сложной магнитной структурой, магнетизм которых представляет собой суммарный эффект, обусловленный многими различными по природе и характеру взаимодействиями. Полезные магнитные свойства веществ, сходные со свойствами классических ферромагнитных металлов и сплавов, сочетаются с весьма незначительной электропроводностью. Это позволяет весьма удовлетворительно объяснить основные черты поведения ферритов и других ферримагнетиков с помощью сравнительно простых модельных представлений. В то же время ввиду ничтожных потерь энергии на индукционные вихревые токи ферриты стали незаменимыми при использовании в сверхвысокочастотных устройствах.

Необходимо также иметь в виду, что благодаря сложности состава и структуры ферритов и магнитных окислов и большому разнообразию этих веществ удается варьировать их физические свойства в очень широких пределах с помощью сравнительно простых технологических приемов. Это открывает все новые и новые перспективы в отношении исследования и практического применения ферритов.

Легированный иттрий-железистый гранат обладает высокими диэлектрическими качествами. Тем не менее, в связи с возможностью перемещения зарядов по дефектам (наличием разрешенных уровней в запрещенной зоне) формально его можно отнести к магнитным полупроводникам. Поэтому к фотоиндуцированным явлениям в Y3Fe5O2 может быть применим (с поправками на очень низкую проводимость материала). Носители заряда осуществляют в магнитном кристалле косвенный обмен между магнитными ионами, стремясь установить ферромагнитное упорядочение при очень небольших концентрациях носителей. Чем выше локальная концентрация носителей, тем сильнее локальный ферромагнитный обмен и, следовательно, тем выше локальная намагниченность в ферромагнитном полупроводнике. Безусловно, для Y3Fe5O2 это проявляется как локальное нарушение намагниченности в окрестности примеси или дефекта. Варьируя параметры легирования, можно изменять фотомагнитный отклик образцов Y3Fe5O2 в широких пределах. Фотомагнитные явления в монокристаллических Y3Fe5O2 изучались ранее – как правило, для образцов, легированных кремнием. Изучение фотомагнитных эффектов для образцов, легированных другими примесями, проводилось не достаточно подробно . Цель данной работы – определение фотомагнитного отклика в монокристаллах Y3Fe5O2 в зависимости от типа легирующего элемента на основании фотоиндуцированного изменения магнитострикции.

Актуальность работы:

Иттрий-железистые гранаты и полимерные диэлектрики – основные функциональные материалы спинтроники. Исследование их магнитных свойств актуально и востребовано.

Цель работы:

Получение магниторезистивных эффектов в полимерной пленке на диэлектрической ферримагнитной подложке без инжекции носителей.

Задачи работы:

1. Получение свободной полимерной пленки, нанесение ее на гранат.

2. Индикация перемагничивания при помощи полимерной пленки.

3. Индикация перемагничивания светом при помощи полимерной пленки.

Рис. 12. Индикация перемагничивания диэлектрической ферримагнитной подложки ИЖГ(Ir) при помощи пленки ПДФ. По оси ординат отложено напряжение на индикаторном резисторе 2000 Ом. Прямоугольник указывает на наличие освещения в отмеченном диапазоне.

Рис. 13. Индикация перемагничивания диэлектрической ферримагнитной подложки ИЖГ(Ir) при помощи пленки ПДФ. По оси ординат отложено напряжение на эталонном резисторе 2000 Ом. Прямоугольник указывает на наличие освещения в отмеченном диапазоне. Пунктиром отмечен уровень шума.

Причинами изменения сопротивления полимерной пленки при резком перемагничивании подложки могут быть как поворот магнитного момента в подложке, так и изменение тангенциальных напряжений на интерфейсе ферримагнетик/полимер при резком перемагничивании. В действительности, при подробном рассмотрении зависимости на участке 0-50 мТл наклона не просматривается (на рисунке х дана зависимость, очищенная от шумов).